晶体管电参数测量

[拼音]：jingtiguan diancanshu celiang

[外文]：transistor parameter measurement

晶体管电参数包括直流参数、器件参数、频率参数、网络参数、特殊参数和极限参数。

测量晶体管直流参数的直观方法是使用晶体管特性曲线图示仪。在被测器件的输入端注入一个阶梯扫描电流，在输出端就可以看到输出电流-电压关系曲线。图1为共发射极输出特性曲线，根据这一曲线可以近似求出击穿电压、电流放大系数和饱和压降。

表征频率特性的最常用参数是特征频率f_T。图2是││随频率的变化关系，当测量频率f₀＞(3～5)时(图中斜线的区域)，满足f_T=||·f₀为一常数。式中||是共发射极输出短路时的电流放大系数的模值;是共发射极电流放大系数截止频率。这个关系使测量频率可选取在远低于f_T的频率上。测量f_T的系统框图如图2b。还可以将被测晶体管作为二端口网络，用网络分析仪来测量晶体管的S参数。

晶体管电参数的测量逐渐实现自动化，从直流到高频范围的测量已基本上达到自动分选。微波参数（例如噪声系数）的测量可通过配有微型计算机的系统在几秒钟内得出结果，甚至能扫描测出噪声系数的频率特性。

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